Полисиликон - мөһим максатлы материал.SiO2 һәм башка нечкә фильмнар әзерләү өчен магнитрон чәчү ысулын куллану матрица материалын оптик, диэлектрик һәм коррозиягә каршы торырга мөмкин, бу сенсор экранында, оптик һәм башка тармакларда киң кулланыла.
Озын кристалллар ыргыту процессы - сыек кремнийның аскыдан югарыга таба юнәлешле катгыйлануын, ингот миченең кайнар кырындагы җылыткыч температурасын һәм җылылык изоляциясе материалының җылылык таралышын төгәл контрольдә тоту. Озын кристаллларның каты тизлеге 0,8 ~ 1,2см / с.Шул ук вакытта, юнәлешне ныгыту процессында кремний материаллардагы металл элементларның сегрегация эффекты тормышка ашырылырга мөмкин, металл элементларның күбесен чистартырга һәм бердәм поликристалл кремний ашлык структурасы барлыкка килергә мөмкин.
Кремний эретүдә аксессуар пычракларының концентрациясен үзгәртү өчен, полисиликон кастингны җитештерү процессында белә торып допедларга кирәк.Тармактагы p тибындагы полисиликонның төп допанты - кремний бор мастер эретмәсе, анда борның күләме якынча 0,025%.Допинг күләме кремний вафатының максатчан каршылыгы белән билгеләнә.Оптималь каршылык 0,02 ~ 0,05 Ω • см, һәм борның концентрациясе якынча 2 × 1014см-3。 Шулай да, кремнийдагы борның сегрегация коэффициенты 0,8, бу юнәлеш катгыйлау процессында билгеле бер сегрегация эффектын күрсәтәчәк, бор элементы градиентта инготның вертикаль юнәлешендә таратыла, һәм каршылык акрынлап түбәннән инготның башына кадәр кими.
Пост вакыты: 26-2022 июль