Хәзерге вакытта кулланучылар максатларның төрләрен аңлыйлараның кушымталары, ләкин аның бүлеге бик ачык булмаска мөмкин.Хәзер әйдәгезRSM инженеры сезнең белән бүлешегезкайбер индукция магнитрон чәчү максатлары.
Спуттеринг максаты: металл чәчү каплау максаты, эретелгән эретү каплау максаты, керамик бөтерелү каплау максаты, борид керамик бөтерелү максаты, карбид керамик бөтерелү максаты, фторид керамик бөтерү максаты, нитрид керамик бөтерелү максаты, оксид керамик спуттеринг максаты, селенид керамик спуттеринг максаты, силисид керамик спуттеринг максаты максат, сульфид керамик бөтерелү максаты, теллурид керамик бөтерелү максаты, башка керамик максатлар, Хром допедлы кремний оксиды керамик максаты (CR SiO), индий фосфид максаты (INP), кургашлы арсенид максаты (pbas), индий арсенид максаты (InAs).
Магнитрон спуттеринг гадәттә ике төргә бүленә: DC спуттеринг һәм RF спуттеринг.Тоткыч җайланмалар принцибы гади, һәм металлны бәргәндә аның тизлеге дә тиз.РФ спуттеры киң кулланыла.Conductткәргеч мәгълүматны таркатудан тыш, ул үткәргеч булмаган мәгълүматны да таркатырга мөмкин.Оксидлар, нитридлар һәм карбидлар кебек катлаулы мәгълүмат әзерләү өчен реактив бөтерелү өчен дә кулланырга мөмкин.Әгәр дә RF ешлыгы артса, ул микродулкынлы плазма таралышына әйләнәчәк.Хәзерге вакытта электрон циклотрон резонансы (ECR) микродулкынлы плазмалы бөтерелү гадәттә кулланыла.
Пост вакыты: 26-2022 май