Күпчелек кулланучылар бөтерелгән максат продукты турында ишеткән булырга тиеш, ләкин максатны чәчү принцибы чагыштырмача таныш түгел.Хәзер, редакторБай махсус материал (RSM) магнитрон чәчү принципларын бүлешә.
Чәчелгән максатлы электрод (катод) һәм анод арасында ортогональ магнит кыры һәм электр кыры өстәлә, кирәкле инерт газы (гадәттә Ар газы) югары вакуум камерасына тутырыла, даими магнит 250 ~ 350 Гаус магнит кырын тәшкил итә. максатлы мәгълүматлар өслеге, һәм ортогональ электромагнит кыры югары көчәнешле электр кыры белән барлыкка килә.
Электр кыры тәэсирендә, Ар газы уңай ионнарга һәм электроннарга ионлаштырыла.Максатка билгеле бер тискәре югары көчәнеш өстәлә.Магнит кырының максат полюсыннан чыккан электроннарга тәэсире һәм эш газының ионлаштыру ихтималы арта, катод янында югары тыгызлыктагы плазма барлыкка килә.Лоренц көче тәэсирендә, Ар ионнары максат өслегенә тизләнәләр һәм бик тиз тизлектә бомбардировать итәләр, максаттагы чәчелгән атомнар моментны әйләндерү принцибы буенча эш итәләр һәм югары кинетик энергия белән субстратка очалар. фильмнарны урнаштырырга.
Магнитрон бөтерелүе гадәттә ике төргә бүленә: кушылдыгы бөтерелү һәм RF бөтерелүе.Су агызу җиһазлары принцибы гади, һәм металл селкенгәндә аның тизлеге дә тиз.РФ спуттеры киң кулланыла.Conductткәргеч материалларны чәчүгә өстәп, ул үткәргеч булмаган материалларны да таркатырга мөмкин.Шул ук вакытта, ул шулай ук оксидлар, нитридлар, карбидлар һәм башка кушылмалар материалларын әзерләү өчен реактив чәчүне үткәрә.Әгәр дә RF ешлыгы артса, ул микродулкынлы плазма таралышына әйләнәчәк.Хәзерге вакытта электрон циклотрон резонансы (ECR) микродулкынлы плазмалы бөтерелү гадәттә кулланыла.
Пост вакыты: 31-2022 май