Безнең сайтларга рәхим итегез!

Максатны куллану һәм принцип

Максатлы технологияне куллану принцибы турында, кайбер клиентлар RSM белән киңәшләштеләр, хәзерге вакытта бу проблема өчен техник белгечләр билгеле бер белемнәрне уртаклашалар.

https://www.rsmtarget.com/

  Максатлы кушымта:

Зарядланган кисәкчәләр (мәсәлән, аргон ионнары) каты өслекне бомбардировать итәләр, атом, молекулалар яки бәндәләр кебек өслек кисәкчәләре "бөтерелү" дип аталган объект феномены өслегеннән кача.Магнитрон чәчкеч каплауда, аргон ионизациясе аркасында барлыкка килгән уңай ионнар, гадәттә, каты (максат) бомбардировать итү өчен кулланыла, һәм чәчелгән нейтраль атомнар кино катламын формалаштыру өчен субстратка (эш кисәгенә) урнаштырыла.Магнитрон чәчү каплавы ике үзенчәлеккә ия: "түбән температура" һәм "тиз".

  Магнитрон чәчү принцибы:

Чәчелгән максат баганасы (катод) белән анод арасында ортогональ магнит кыры һәм электр кыры өстәлә, һәм кирәкле инерт газы (гадәттә Ар газы) югары вакуум камерасында тутырыла.Даими магнит максатлы материал өслегендә 250-350 Гаусс магнит кырын формалаштыра, һәм югары көчәнешле электр кыры белән ортогональ электромагнит кырын барлыкка китерә.

Электр кыры тәэсирендә, Ар газы уңай ионнарга һәм электроннарга ионлаштырыла, һәм максатка билгеле бер тискәре югары басым ясала, шуңа күрә максат баганасыннан чыккан электроннар магнит кыры һәм эшнең ионлаштыру ихтималына тәэсир итәләр. газ арта.Катод янында югары тыгызлыктагы плазма барлыкка килә, һәм Ар ионнары Лоренц көче белән максатлы өслеккә тизләнәләр һәм максатлы өслекне югары тизлектә бомбардировать итәләр, шулай итеп максатлы атомнар максат өслегеннән югары белән кача. кинетик энергия һәм момент конверсия принцибы буенча фильм формалаштыру өчен субстратка очалар.

Магнитрон спуттеринг гадәттә ике төргә бүленә: DC спуттеринг һәм RF спуттеринг.Тоткыч җайланмалар принцибы гади, һәм металл чәчкәндә тизлек тиз.RFткәргеч материалларны чабу белән беррәттән, үткәргеч булмаган материалларны чабу белән беррәттән, оксидлар, нитридлар һәм карбидлар һәм башка катнаш материаллар реактив спуттерлар әзерләү тагын да киңрәк.Әгәр дә RF ешлыгы артса, ул микродулкынлы плазманы таркатуга әйләнә.Хәзерге вакытта электрон циклотрон резонансы (ECR) тибындагы микродулкынлы плазма спуттеры гадәттә кулланыла.


Пост вакыты: Август-01-2022