Вольфрам металллары һәм вольфрам эретмәләре югары температураның тотрыклылыгы, электрон миграциягә югары каршылык һәм электрон чыгару коэффициентының өстенлекләренә ия.Purгары чисталыклы вольфрам һәм вольфрам эретмәсе максатлары, нигездә, капка электродларын, тоташтыру чыбыкларын, ярымүткәргеч интеграль схемаларның диффузия барьер катламнарын ясау өчен кулланыла.Аларда чисталык, пычрак элемент эчтәлеге, тыгызлык, ашлык күләме һәм материалларның бердәм ашлык структурасына бик зур таләпләр бар.Вольфрамның югары чисталыгын әзерләүгә йогынты ясаучы факторларга күз салыйкby Rich Махсус материаллар, ООО.
I. Синтеринг температурасының эффекты
Вольфрам максатлы яралгы формалаштыру процессы гадәттә салкын изостатик басым белән ясала.Вольфрам ашлыгы синтеринг вакытында үсәчәк.Вольфрам ашлыгының үсүе кристалл чикләре арасындагы бушлыкны тутырачак, шулай итеп вольфрам максатының тыгызлыгын арттырачак.Синтеринг вакытының артуы белән вольфрам максатының тыгызлыгы әкренләп акрыная.Төп сәбәп - вольфрам максатчан материалның сыйфаты берничә синтеринг процессыннан соң күп үзгәрмәде.Кристалл чигендәге бушлыкларның күбесе вольфрам кристаллары белән тутырылганга, вольфрам максатының гомуми үзгәрү тизлеге һәр синтеринг процессыннан соң бик кечкенә, нәтиҗәдә вольфрам максаты тыгызлыгы арта.Синтеринг дәвам иткәндә, зур вольфрам бөртекләре бушлыкларга тутырыла, нәтиҗәдә кечерәк зурлыктагы тыгызрак максат.
2. Эффектhашау вакыты
Шул ук синтеринг температурасында вольфрам максатлы материалның компактлыгы синтеринг вакыты арту белән яхшыра.Синтеринг вакыты арту белән вольфрам ашлык күләме арта, һәм синтеринг вакыты озайтылгач, ашлык күләменең үсү факторы әкренләп акрыная.Бу шуны күрсәтә: вольфрам максатының эшләвен яхшырта ала.
3. Роллингның П максатына тәэсиреerformance
Вольфрам максатчан материалларның тыгызлыгын яхшырту һәм вольфрам максатлы материалларның эшкәртү структурасын алу өчен, вольфрам максатлы материалларның уртача температурасы рекристализация температурасы астында үткәрелергә тиеш.Максатлы бушның әйләнү температурасы югары булганда, максатның буш җепсел структурасы калынрак, ә максатлы бушның нечкәлеге яхшырак.Кайнар әйләнеш 95% тан югары булганда.Төрле оригиналь ашлык яки әйләндерү температурасы аркасында килеп чыккан җепсел структурасы аермасы юкка чыгарылса да, максат эчендә бертөрле җепсел структурасы барлыкка киләчәк, шуңа күрә җылы әйләнешне эшкәртү тизлеге никадәр югары булса, максатның эшләнеше яхшырак.
Пост вакыты: май-05-2022