Аны DC магнитрон спуттерингына һәм RF магнитрон спуттерингына бүлеп була.
Дискны таркату ысулы максатның ион бомбардировщик процессыннан алынган уңай корылманы катодка аның белән тыгыз элемтәдә күчерә алуын таләп итә, аннары бу ысул изоляция мәгълүматлары өчен яраксыз үткәргеч мәгълүматларын таркатырга мөмкин, чөнки өслектәге ион корылмасы изоляция максатын бомбалаганда нейтральләштереп булмый, бу максатчан өслектә потенциалның артуына китерәчәк, һәм кулланылган көчәнешнең барысы да диярлек максатка кулланыла, шуңа күрә ион тизләнеше һәм ионлаштыру мөмкинлеге. ике багана кыскартылачак, хәтта ионлаштырыла да алмый, бу өзлексез агызуның уңышсызлыгына китерә, хәтта агызу өзелүенә һәм бөтерелү өзелүенә китерә.Шуңа күрә, радио ешлыкны таркату (RF) начар үткәрүчәнлеге булган максатларны яки металл булмаган максатларны изоляцияләү өчен кулланылырга тиеш.
Чәчү процессы катлаулы таралу процессларын һәм төрле энергия тапшыру процессларын үз эченә ала: беренчедән, вакыйга кисәкчәләре максатлы атомнар белән эластик рәвештә бәрелешәләр, һәм вакыйга кисәкчәләренең кинетик энергиясенең бер өлеше максат атомнарына күчереләчәк.Кайбер максатлы атомнарның кинетик энергиясе әйләнә-тирәдәге башка атомнар формалашкан потенциаль киртәләрдән артып китә (металллар өчен 5-10ев), аннары алар читтән атомнар чыгару өчен такталардан чыгарыла, һәм күрше атомнар белән кабат-кабат бәрелешләр. , каскад бәрелешенә китерә.Бу бәрелеш каскады максат өслегенә җиткәч, атомның кинетик энергиясе максат өслегенә якын булган энергиядән зуррак булса (металллар өчен 1-6ев), бу атомнар максат өслегеннән аерылырлар. һәм вакуумга керегез.
Чүпрәле каплау - корылма кисәкчәләрен вакуумда бомбардировать итү өчен осталык, бомбардировать ителгән кисәкчәләр субстратта туплансын өчен.Гадәттә, түбән басымлы инерт газы ялтыравык вакыйга ионнары тудыру өчен кулланыла.Катод максаты каплау материалларыннан эшләнгән, субстрат анод рәвешендә кулланыла, вакуум камерасына 0,1-10па аргон яки башка инерт газ кертелә, һәм ялтыравык агызу катод (максат) 1-3kv DC тискәре югары тәэсирендә була. көчәнеш яки 13.56МГц RF көчәнеше.Ионлаштырылган аргон ионнары максат өслеген бомбардировать итәләр, максатлы атомнарның чәчелүенә һәм субстратта туплануларының нечкә пленка барлыкка килүенә китерәләр.Хәзерге вакытта бик күп бөтерелү ысуллары бар, алар арасында, нигездә, икенчел бөтерелү, өченче яки дүртенче бөтерелү, магнетрон спуттеры, максатлы бөтерелү, РФ спуттеры, икейөзлелек, асимметрик элемтә RF таркалуы, ион нурлары һәм реактив бөтерелү.
Кинетик энергияне дистәләгән электрон вольт энергиясе белән позитив ионнар белән алмаштырганнан соң, чәчелгән атомнар чәчелгәнгә күрә, атомнарның югары энергиясе бар, бу атомнарның таралу сәләтен яхшырту, стенировкаларның нечкәлеген яхшырту, ясау. әзерләнгән фильм субстрат белән нык ябышуга ия.
Чәчкәндә, газ ионлаштырылганнан соң, газ ионнары катодка тоташкан максатка очып китәләр, һәм электроннар җир асты куышлыгына һәм субстратка оча.Шул рәвешле, түбән көчәнеш һәм түбән басым астында ионнар саны аз һәм максатның бөтерелү көче аз;Highгары көчәнештә һәм югары басымда, күбрәк ионнар булырга мөмкин булса да, субстратка очкан электроннарның югары энергиясе бар, бу субстратны җылыту җиңел, хәтта икенчел бөтерелү кино сыйфатына тәэсир итә.Моннан тыш, субстратка очу процессында максатлы атомнар һәм газ молекулалары арасында бәрелешү ихтималы да зурайды.Шуңа күрә ул бөтен куышлыкка таралыр, бу максатны әрәм итмичә, күп катлы фильмнар әзерләгәндә һәр катламны пычратыр.
Aboveгарыдагы җитешсезлекләрне чишү өчен, 1970-нче елларда DC магнитрон чәчү технологиясе эшләнде.Ул түбән катодның таралу тизлеген һәм электроннар аркасында субстрат температураның күтәрелүен эффектив рәвештә җиңә.Шуңа күрә ул тиз һәм киң кулланылды.
Принцип түбәндәгечә: магнитрон бөтерелүендә, чөнки хәрәкәт итүче электроннар магнит кырында Лоренц көченә буйсыналар, аларның хәрәкәт орбитасы җәберләү яки хәтта спираль хәрәкәт булыр, һәм аларның хәрәкәт юлы озынрак булыр.Шуңа күрә, эшли торган газ молекулалары белән бәрелешләр саны арта, плазма тыгызлыгы арта, аннары магнетронның таралу дәрәҗәсе сизелерлек яхшыра, һәм ул кино пычрану тенденциясен киметү өчен түбән көчәнеш һәм басым астында эшли ала;Икенче яктан, ул шулай ук субстрат өслегендәге атом вакыйгаларының энергиясен яхшырта, шуңа күрә фильмның сыйфаты зур дәрәҗәдә яхшырырга мөмкин.Шул ук вакытта, күп бәрелешләр аркасында энергиясен югалткан электроннар анодка җиткәч, алар аз энергияле электроннарга әйләнделәр, аннары субстрат кызып китмәячәк.Шуңа күрә, магнитрон чәчү “югары тизлек” һәм “түбән температура” өстенлекләренә ия.Бу ысулның җитешсезлеге шунда: изолятор пленкасын әзерләп булмый, һәм магнитрон электродында кулланылган тигез булмаган магнит кыры максатның тигез булмаган эфирына китерәчәк, нәтиҗәдә максатның түбән кулланылу дәрәҗәсе 20% - 30 була. %.
Пост вакыты: 16-2022 май