Безнең сайтларга рәхим итегез!

Вольфрам максатын югары технологияле әзерләү технологиясе

Temperatureгары температураның тотрыклылыгы, югары электрон миграция каршылыгы һәм вольфрам һәм вольфрам эретмәләренең югары электрон эмиссия коэффициенты, югары чисталыклы вольфрам һәм вольфрам эретмәсе максатлары, нигездә, ярымүткәргеч капка электродлары, тоташтыру чыбыклары, диффузия барьер катламнары һ.б. интеграль схемалар, һәм чисталык, пычрак элемент эчтәлеге, тыгызлык, ашлык күләме һәм материалларның ашлык структурасы бердәмлегенә югары таләпләр бар.Хәзер әйдәгез югары вольфрам максаты әзерләүгә тәэсир итүче факторларга күз салыйк.

https://www.rsmtarget.com/

  1 ting Синтеринг температурасының эффекты

Вольфрам максатлы яралгы формалаштыру процессы гадәттә салкын изостатик басу белән ясала.Вольфрам ашлыгы синтеринг процессында үсәчәк.Вольфрам ашлыгының үсүе ашлык чикләре арасындагы бушлыкны тутырачак, шулай итеп вольфрам максатының тыгызлыгын яхшыртачак.Синтеринг вакытының артуы белән вольфрам максатчан тыгызлыгы әкренләп акрыная.Төп сәбәбе - вольфрам максатының сыйфаты күп үзгәрмәгәннән соң.Ашлык чикләрендәге бушлыкларның күбесе вольфрам кристаллары белән тутырылганга, һәр синтерингтан соң вольфрам максатының гомуми үзгәрү дәрәҗәсе бик кечкенә булды, нәтиҗәдә вольфрам максаты тыгызлыгы арту өчен чикләнгән урын барлыкка килде.Синтеринг процессы белән үскән вольфрам бөртекләре бушлыкларга тутырыла, нәтиҗәдә кисәкчәләрнең зурлыгы белән максатның тыгызлыгы зуррак.

  2 time Вакыт тоту эффекты

Шул ук синтеринг температурасында вольфрам максатының компактлыгы синтеринг тоту вакытын озайту белән яхшырачак.Саклау вакыты озайтылгач, вольфрам ашлык күләме артачак, һәм тоту вакыты озайтылгач, ашлык күләменең үсү вакыты әкренләп акрынаячак, димәк, тоту вакытын арттыру шулай ук ​​эшне яхшырта ала. вольфрам максаты.

  3 target Максатлы үзлекләргә әйләнүнең эффекты

Вольфрам максатчан материалның тыгызлыгын яхшырту һәм вольфрам максатлы материалның эшкәртү структурасын алу өчен, вольфрам максатчан материалның уртача температурасы әйләнеше рестрализация температурасы астында үткәрелергә тиеш.Әгәр дә максатлы билетның әйләнү температурасы югары булса, максатлы билетның җепсел структурасы тупас булачак, һәм киресенчә.Warmылы әйләнеш тизлеге 95% тан артканда.Төрле оригиналь бөртекләр яки төрле әйләнеш температурасы аркасында килеп чыккан җепсел структурасындагы аерма юкка чыгарылса да, максатның эчке структурасы чагыштырмача бертөрле җепсел структурасын формалаштырачак, шуңа күрә җылы әйләнешне эшкәртү дәрәҗәсе никадәр югары булса, максатның эшләнеше яхшырак.


Пост вакыты: 15-2023 февраль