Күптән түгел, күп кулланучылар каплау технологиясенең өстенлекләре һәм җитешсезлекләре турында сораштылар, Клиентларыбыз таләпләре буенча, хәзер RSM технология бүлеге белгечләре проблемаларны чишәргә өметләнеп безнең белән уртаклашачаклар.Түбәндәге фикерләр бардыр:
1 、 Тигезсез магнитрон бөтерелү
Магнитронның эчке һәм тышкы магнит полюс очлары аша узучы магнит агымы тигез түгел дип уйлау, ул тигезсез магнитрон чәчкән катод.Гадәттәге магнитрон магнит кыры максат өслегендә тупланган, тигез булмаган магнитрон магнит кыры максаттан чыга.Гади магнитрон катодның магнит кыры максатлы өслектә плазманы нык чикли, субстрат янындагы плазма бик зәгыйфь, һәм субстрат көчле ионнар һәм электроннар белән бомбардировать ителмәячәк.Тигез булмаган магнитрон катод магнит кыры плазманы максат өслегеннән ераклаштырырга һәм субстратны чумдырырга мөмкин.
2 、 Радио ешлыгы (RF)
Изоляцион пленка урнаштыру принцибы: изоляцион максатның артына куелган үткәргечкә тискәре потенциал кулланыла.Якты агызу плазмасында, уңай ион күрсәткеч тәлинкәсе тизләнгәч, аның алдындагы изоляцион максатны бомбардировать итә.Бу бөтерелү 10-7 секундка гына дәвам итә ала.Аннан соң, изоляцион максатта тупланган уңай корылма формалашкан уңай потенциал үткәргеч тәлинкәсендә тискәре потенциалны каплый, шуңа күрә изоляцион максатка югары энергияле позитив ионнарны бомбардирлау туктатыла.Бу вакытта, электр белән тәэмин итү полярлыгы кире кайтарылса, электроннар изоляцион тәлинкәне бомбардировать итәрләр һәм изоляцион тәлинкәдәге уңай корылманы нейтральләштерерләр, потенциаль нульгә әйләнерләр.Бу вакытта, электр белән тәэмин итү полярлыгын кире кайтару 10-7 секунд эчендә бөтерелергә мөмкин.
RF бөтерелүнең өстенлекләре: металл мишеньлар да, диэлектрик мишеньлар да бөтерелергә мөмкин.
3 、 DC магнитрон чәчелүе
Магнитрон чәчү каплау җиһазлары катод максатындагы магнит кырын арттыра, магнит кырының Лоренц көчен электр кырында электрон траекториясен бәйләү һәм киңәйтү өчен куллана, электроннар һәм газ атомнары арасында бәрелеш мөмкинлеген арттыра, газ атомнарының ионлаштыру тизлеге, максатка бомбардировщик булган югары энергияле ионнар санын арттыра һәм капланган субстратны бомбардировать иткән югары энергияле электроннар санын киметә.
Планар магнитронның таралуы өстенлекләре:
1. Максатлы көч тыгызлыгы 12w / см2 булырга мөмкин;
2. Максатлы көчәнеш 600Вка җитә ала;
3. Газ басымы 0,5пага җитә ала.
Планар магнитронның бөтерелүенең җитешсезлекләре: максат очыш полосасында чуалыш каналын барлыкка китерә, бөтен максат өслеген тигезләү тигез түгел, һәм максатның куллану дәрәҗәсе 20% - 30% тәшкил итә.
4 AC Урта ешлыклы AC магнетрон чәчелүе
Бу урта ешлыктагы AC магнитрон чәчү җайланмаларында, гадәттә, бер үк зурлыктагы һәм формадагы ике мишень конфигурацияләнгән, еш кына игезәк мишень дип атала.Алар туктатылган корылмалар.Гадәттә, берьюлы ике мишень эшли.Урта ешлыктагы AC магнитрон реактив бөтерелү процессында, ике максат үз чиратында анод һәм катод ролен башкара, һәм алар бер үк ярым циклда бер-берсенә анод катод ролен үтиләр.Максат тискәре ярым цикл потенциалында булганда, максат өслеге бомбардировать ителә һәм уңай ионнар белән чәчелә;Позитив ярым циклда, плазманың электроннары максат өслегенә изоляцияләнгән өслектә тупланган уңай корылманы нейтральләштерү өчен тизләштерелә, бу максат өслегенең ут кабызуын гына түгел, ә феноменын да бетерә. анод юкка чыгу ”.
Урта ешлыкның икеләтә максатлы реактив бөтерелүнең өстенлекләре:
(1) depгары чүплек дәрәҗәсе.Кремний максатлары өчен, урта ешлыктагы реактив бөтерелүнең чүпләнү дәрәҗәсе DC реактив бөтерелүдән 10 тапкырга күбрәк;
2) Бөтерелү процессы билгеләнгән эш ноктасында тотрыклыланырга мөмкин;
3) "ут кабызу" феномены бетерелә.Әзерләнгән изоляцион пленканың җитешсезлек тыгызлыгы берничә зурлыктагы заказ, DC реактив бөтерү ысулы белән чагыштырганда азрак;
4) Subгары субстрат температурасы фильмның сыйфатын һәм ябышуын яхшырту өчен файдалы;
(5) Әгәр дә электр белән тәэмин итү максатка туры килү җиңелрәк булса, электр энергиясе белән тәэмин итүгә караганда.
5 、 Реактив магнитрон бөтерелү
Чәчү процессында реакция газы кушылган фильмнар чыгару өчен чәчелгән кисәкчәләр белән реакцияләнү өчен тукландырыла.Ул бер үк вакытта бөтерелгән кушылма максаты белән реакцияләү өчен реактив газ бирә ала, һәм шулай ук химик катнашлы катнаш фильмнар әзерләү өчен бер үк вакытта металл яки эретелгән максат белән реакция өчен реактив газ бирә ала.
Реактив магнитрон кушылу фильмнарының өстенлекләре:
(1) Максатлы материаллар һәм кулланылган реакция газлары - кислород, азот, углеводород һ.б., гадәттә югары чисталыклы продуктлар алу җиңел, югары чисталык катнаш фильмнар әзерләү өчен уңайлы;
2) процесс параметрларын көйләп, химик яки химик булмаган кушылма фильмнар әзерләнергә мөмкин, шулай итеп фильмнарның характеристикалары көйләнә ала;
3) Субстрат температурасы югары түгел, һәм субстратта чикләүләр аз;
(4) Бу зур мәйданлы униформа каплау өчен яраклы һәм сәнәгать җитештерүен тормышка ашыра.
Реактив магнитрон бөтерелү процессында, кушылучан тотрыксызлык тотрыксыз булырга мөмкин, нигездә:
1) Кушма максатлар әзерләү кыен;
(2) Максатлы агулану һәм бөтерелү процессының тотрыксызлыгы аркасында арканы сугу (арканы агызу) феномены;
(3) Түбән чәчелү дәрәҗәсе;
(4) Фильмның җитешсезлек тыгызлыгы югары.
Пост вакыты: 21-2022 июль